路是没有错,只要稍微修正一下设计,这样可以把制备流程缩短30%,生产本钱会大幅降落,以后良品率也会很轻易上往。”
“杨少你真是天才,一眼就看出了这里面的问题,连如何修正都想好了,有你这样的天才,我想国外那些闪存大厂要掉眼泪了。”
杨杰哈哈笑一笑,老天爷好不轻易让自己重生一回,自己手头上有大批的技巧专利,不拿出利用那简直太暴殄天物了!
“我都猜忌杨少你上辈子是不是搞ic的?这辈子是带着记忆投胎?为什么有着如此多的想法?”
“谭总你可是还科学家呢!怎么还信任这一套!”
谭云松笑了起来:“没措施,国内在半导体产业上有着如此快速的提升,这就是一个奇迹呀!根本没措施用科学来解释。”
“这不是谭总最盼看看到的成果么。”杨杰笑着道。
越日,杨杰也是涌现在了新蓝科技公司的研发中心,会议室里面坐满了公司研发部分的技巧工程师,中间还有二十多名的美国的工程师。
他指着投影屏幕上自制的ppt说道:“大家看啊,这个多晶硅栅下面是三层尽缘薄膜,这三层薄膜分辨是隧穿氧化层、氮化硅、屏障氧化层,其中氮化硅具有极高的电子陷阱密度,可以捕捉电子,达到存储电荷的目标,带电就是1,不带电就是0。”
杨杰持续说道:“氮化硅之前只是用在对底层金属实现笼罩,由于针孔很少,对水汽和钠在氮化硅材料中扩散非常慢,这次我们将氮化硅注进沟道边沿。”
他看到众人都是露出了困惑的表情,笑着解释道:“我们都知道半导体中有两种载流子,一种是电子,一种是空穴,在对单元进行写进操作时,采用热电子注进法,将热电子注进沟道边沿的氮化硅,这样就完成了写进过程,在作擦除时,利用价带间的空穴,将空穴注进沟道边沿的氮化硅,打消电荷,就完成了擦除。
“由于氮化硅的尽缘性,热电子效应产生的电子只能被注进并限制在沟道边沿。正是这样,两侧沟道一旦全部带电就是11,全部不带电就是00,但是我们一旦把两侧沟道其中一侧进行单独擦除,就会涌现四种情况,一种是01,一种是10,于是我们就在不进行复杂工艺转变的条件下,让现有的闪存容量增长了一倍。”
“在这个基础上,我们可以今后发展出多电压把持栅极多层注进电荷技巧产品,实现多层的堆叠,可以用这种技巧在现有的制程工艺上最大限度地增长闪存的容量,而不是完整依附制程工艺的提升,这也大大地降低了闪存的本钱。”
听到这里,会议室里一片哗然,众人都是无比惊喜,韩小龙此时激动地鼓掌,随后大家都是随着用力地鼓起掌来。
“杨少你太神
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